NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16CP-DI disebabkan oleh Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DI NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DI ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr NT5CC256M16CP-DI K4B4G1646E-BYMA
Merek Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $14.32
Jenis Ingatan DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Tegangan Pemberi Arus 1.35V (1.283V to 1.45V) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3-1600 (CL11) —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Internal Banks 8 —
Kemasan VFBGA-96 FBGA-96
Suhu Operasi 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] 0°C to +95°C
Antaramuka Differential clock (CK, CK#) —
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (programmable) —
RoHS Compliant Compliant
Process Technology 70nm —
Density — 4 Gb
Clock Frequency — 933 MHz
Kadar Data — 1866 Mbps/pin
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Jenis Pemasangan — Surface Mount
Latensi CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Bilangan Pin — 96

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga