NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16CP-DI بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | NT5CC256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| برانڈ | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| فی یونٹ قیمت (USD) | — | $14.32 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| تنظیم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| پیکیج | VFBGA-96 | FBGA-96 |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | 0°C to +95°C |
| انٹرفیس | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ڈیٹا ریٹ | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | — | Surface Mount |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| پنز کی تعداد | — | 96 |