NT5CC256M16CP-DI vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16CP-DI sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16CP-DI | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Total Density | 4Gb | — |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3-1600 (CL11) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 | — |
| Write Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Internal Banks | 8 | — |
| Packhaging | VFBGA-96 | FBGA-96 |
| Temperature na Operasyon | 0C to +95C (Tc) [DATA_NEEDED: exact range] | 0°C to +95°C |
| Interface | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (programmable) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 70nm | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps/pin |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Latensya ng CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Bilang ng Pins | — | 96 |