NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT5CC256M16DP-DIH নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4B4G1646E-BYMA নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $14.32 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| ডেটা রেট | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| প্যাকেজ | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C | — |
| CAS লেটেন্সি | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| মাউন্টিং টাইপ | — | Surface Mount |
| পিনের সংখ্যা | — | 96 |