NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16DP-DIH بذریعہ Nanya Technology اور K4B4G1646E-BYMA بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya

NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya

NT5CC256M16DP-DIH ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5CC256M16DP-DIH K4B4G1646E-BYMA
برانڈ Nanya Technology Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) — $14.32
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
تنظیم 256M x 16 256M x 16
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
ڈیٹا ریٹ 1600 Mbps (DDR3-1600) 1866 Mbps/pin
پیکیج 96-ball VFBGA FBGA-96
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج 0°C to +95°C —
CAS لیٹنسی 11 (typical) [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 [DATA_NEEDED: Burst Length]
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
ماؤنٹنگ ٹائپ — Surface Mount
پنز کی تعداد — 96

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں