NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA So sánh
So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16DP-DIH bằng Nanya Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Giá đơn vị (USD) | — | $14,32 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Điện áp cung cấp | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Tốc độ dữ liệu | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Hộp | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | — |
| Latency CAS | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Số lượng chân | — | 96 |