NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA Perbandingan
Perbandingan bersamaan detil NT5CC256M16DP-DIH dari Nanya Technology dan K4B4G1646E-BYMA dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ Aktif
Perbandingan Spesifikasi
| Parameter Umum | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Aktif |
| Harga Unit (USD) | — | $14,32 |
| Tipe Memori | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tegangan Pemuat | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Laju Data | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| Paket | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| Rentang Suhu Kerja | 0°C to +95°C | — |
| Latensi CAS | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Suhu Kerja | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Tipe Mounting | — | Surface Mount |
| Jumlah Pin | — | 96 |