NT5CC256M16DP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16DP-DIH द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16DP-DIH | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $14.32 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| डेटा दर | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1866 Mbps/pin |
| पैकेज | 96-ball VFBGA | FBGA-96 |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C | — |
| CAS लेटेंसी | 11 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| पिन की संख्या | — | 96 |