NT6AN8T6WBJ1B1 vs K4A8G165WC-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা NT6AN8T6WBJ1B1 নির্দিষ্ট Nanya Technology ও K4A8G165WC-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Nanya Technology
NT6AN8T6WBJ1B1 NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 - 8Gb DDR4 SDRAM | Nanya Technology

NT6AN8T6WBJ1B1 ✓ সক্রিয়
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার NT6AN8T6WBJ1B1 K4A8G165WC-BCRC
ব্র্যান্ড Nanya Technology Samsung Electro-Mechanics
ক্যাটাগরি Memory ICs EEPROM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
স্টক স্ট্যাটাস — In Stock
ইউনিট মূল্য (USD) — $19.69
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 8 Gb (512M x 16) 8 Gbit
ডেটা রেট 3200 MT/s 2400 Mbps
সাপ্লাই ভোল্টেজ 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
CAS লেটেন্সি 22 cycles —
Burst Length 8 (BL8), 4 (BC4) —
প্যাকেজ 96-ball FBGA 96-FBGA (TFBGA)
অপারেটিং তাপমাত্রা 0C to +95C (TC) 0 C to +95 C
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Bank Groups 4 groups of 4 banks —
Row Address 16 bits —
Column Address 10 bits —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
সংগঠন — 512M x 16
Clock Frequency — 1333 MHz
ইন্টারফেস — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
মাউন্টিং টাইপ — Surface Mount
বৈশিষ্ট্য — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট