STW11NK90Z vs STW12NK95Z তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা STW11NK90Z নির্দিষ্ট STMicroelectronics ও STW12NK95Z নির্দিষ্ট STMicroelectronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
STMicroelectronics
STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics
STW11NK90Z ✓ সক্রিয়STMicroelectronics
STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics
STW12NK95Z ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | STW11NK90Z | STW12NK95Z |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 900 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 25°C | 9.5 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at 100°C | 6 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 38 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±30 V | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.85 ohm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3 V to 5 V | — |
| Gate Charge (Qg) | 45 nC | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1900 pF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 150 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 20 pF | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 250 W | — |
| Operating Junction Temperature (Tj) | -55°C to +150°C | — |
| প্যাকেজ | TO-247 | TO-247-3 |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) | — | 950 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 10 A |
| On-Resistance (Rds on) Max | — | 0.90 ohm |
| On-Resistance (Rds on) Typ | — | 0.69 ohm |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 230 W |
| Technology | — | SuperMESH (Zener-protected PowerMESH) |
| Gate Protection | — | Zener-protected gate oxide |
| Avalanche Rating | — | 100% avalanche tested |
| dv/dt Capability | — | Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value] |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -55C to +150C (junction) |
| Gate Charge | — | Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value] |