STW11NK90Z vs STW12NK95Z مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STW11NK90Z توسط STMicroelectronics و STW12NK95Z توسط STMicroelectronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

STMicroelectronics
STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ فعال
STMicroelectronics
STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر STW11NK90Z STW12NK95Z
برند STMicroelectronics STMicroelectronics
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 900 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 9.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 38 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.85 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 150 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 20 pF —
Maximum Power Dissipation (PD) 250 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55°C to +150°C —
بسته‌بندی TO-247 TO-247-3
نوع نصب Through Hole Through Hole
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) — 950 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 10 A
On-Resistance (Rds on) Max — 0.90 ohm
On-Resistance (Rds on) Typ — 0.69 ohm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 230 W
Technology — SuperMESH (Zener-protected PowerMESH)
Gate Protection — Zener-protected gate oxide
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
dv/dt Capability — Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value]
دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Gate Charge — Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت