STW11NK90Z vs STW12NK95Z موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STW11NK90Z بذریعہ STMicroelectronics اور STW12NK95Z بذریعہ STMicroelectronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

STMicroelectronics
STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ فعال
STMicroelectronics
STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STW11NK90Z STW12NK95Z
برانڈ STMicroelectronics STMicroelectronics
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 900 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 9.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 38 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.85 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 150 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 20 pF —
Maximum Power Dissipation (PD) 250 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55°C to +150°C —
پیکیج TO-247 TO-247-3
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) — 950 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 10 A
On-Resistance (Rds on) Max — 0.90 ohm
On-Resistance (Rds on) Typ — 0.69 ohm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 230 W
Technology — SuperMESH (Zener-protected PowerMESH)
Gate Protection — Zener-protected gate oxide
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
dv/dt Capability — Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value]
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55C to +150C (junction)
Gate Charge — Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں