STW11NK90Z vs STW12NK95Z तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना STW11NK90Z द्वारा STMicroelectronics और STW12NK95Z द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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STW11NK90Z STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z - 900V N-Channel Power MOSFET | STMicroelectronics

STW11NK90Z ✓ सक्रिय
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STW12NK95Z STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z - 950V 10A Zener SuperMESH MOSFET | STMicroelectronics

STW12NK95Z ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर STW11NK90Z STW12NK95Z
ब्रांड STMicroelectronics STMicroelectronics
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Drain-Source Voltage (VDS) 900 V —
Continuous Drain Current (ID) at 25°C 9.5 A —
Continuous Drain Current (ID) at 100°C 6 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 38 A —
Gate-Source Voltage (VGS) ±30 V —
On-Resistance (RDS(on)) 0.85 ohm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V to 5 V —
Gate Charge (Qg) 45 nC —
Input Capacitance (Ciss) 1900 pF —
Output Capacitance (Coss) 150 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 20 pF —
Maximum Power Dissipation (PD) 250 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55°C to +150°C —
पैकेज TO-247 TO-247-3
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
RoHS स्थिति Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Polarity — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage (Vdss) — 950 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 10 A
On-Resistance (Rds on) Max — 0.90 ohm
On-Resistance (Rds on) Typ — 0.69 ohm
Power Dissipation (Pd) at Tc — 230 W
Technology — SuperMESH (Zener-protected PowerMESH)
Gate Protection — Zener-protected gate oxide
Avalanche Rating — 100% avalanche tested
dv/dt Capability — Extremely high [DATA_NEEDED: dv/dt value]
ऑपरेटिंग तापमान — -55C to +150C (junction)
Gate Charge — Minimized [DATA_NEEDED: Qg typical value]

डेटाशीट और संसाधन

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