W989D6DBGX6I vs W989D6DBGX6I-TR তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা W989D6DBGX6I নির্দিষ্ট Winbond ও W989D6DBGX6I-TR নির্দিষ্ট Winbond. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Winbond
W989D6DBGX6I W989D6DBGX6I - 512Mbit Mobile LPSDR SDRAM x16 166MHz | Winbond

W989D6DBGX6I - 512Mbit Mobile LPSDR SDRAM x16 166MHz | Winbond

W989D6DBGX6I ✓ সক্রিয়
Winbond
W989D6DBGX6I-TR W989D6DBGX6I-TR - 512Mb Mobile LPSDR SDRAM, x16, 166MHz | Winbond

W989D6DBGX6I-TR - 512Mb Mobile LPSDR SDRAM, x16, 166MHz | Winbond

W989D6DBGX6I-TR ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার W989D6DBGX6I W989D6DBGX6I-TR
ব্র্যান্ড Winbond Winbond
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ Mobile LPSDR SDRAM Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 512 Mbit (32M x 16) —
সংগঠন 32M words x 16 bit 32M x 16 (16-bit data bus)
ডেটা বাস প্রস্থ 16 bit —
সর্বোচ্চ ক্লক ফ্রিকোয়েন্সি 166 MHz 166 MHz
Access Time 5 ns —
Supply Voltage VDD 1.8 V (typ) —
ইন্টারফেস টাইপ Parallel, LVCMOS —
Number of Banks 4 —
CAS লেটেন্সি Programmable 2 or 3 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page
Self-Refresh Yes (with PASR) —
Deep Power-Down Yes —
Process Technology 46 nm CMOS 46 nm
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
প্যাকেজ 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm
Ball Pitch 0.8 mm —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
MSL লেভেল 3 3 (168 hours)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Density — 512 Mbit
Clock Access Time — 5 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range
Number of Internal Banks — 4
CAS Latency (CL) — 2 / 3 selectable via MRS
Refresh Window — 1024 cycles / 16 ms
Packaging Option — Tape & Reel (-TR suffix)
Low-Power Modes — Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD)
Lead-Free — Yes

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট