W989D6DBGX6I vs W989D6DBGX6I-TR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma W989D6DBGX6I tarafından Winbond ve W989D6DBGX6I-TR tarafından WinbondAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre W989D6DBGX6I W989D6DBGX6I-TR
Marka Winbond Winbond
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü Mobile LPSDR SDRAM Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 512 Mbit (32M x 16) —
Organizasyon 32M words x 16 bit 32M x 16 (16-bit data bus)
Veri Bus Genişliği 16 bit —
Azami Saat Hızı 166 MHz 166 MHz
Access Time 5 ns —
Supply Voltage VDD 1.8 V (typ) —
Arayüz Türü Parallel, LVCMOS —
Number of Banks 4 —
CAS Gecikme Programmable 2 or 3 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page
Self-Refresh Yes (with PASR) —
Deep Power-Down Yes —
Process Technology 46 nm CMOS 46 nm
İşletim Sıcaklığı -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
Paket 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm
Ball Pitch 0.8 mm —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 3 3 (168 hours)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Density — 512 Mbit
Clock Access Time — 5 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range
Number of Internal Banks — 4
CAS Latency (CL) — 2 / 3 selectable via MRS
Refresh Window — 1024 cycles / 16 ms
Packaging Option — Tape & Reel (-TR suffix)
Low-Power Modes — Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD)
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin