W989D6DBGX6I vs W989D6DBGX6I-TR موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از W989D6DBGX6I بذریعہ Winbond اور W989D6DBGX6I-TR بذریعہ Winbond. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر W989D6DBGX6I W989D6DBGX6I-TR
برانڈ Winbond Winbond
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ Mobile LPSDR SDRAM Mobile LPSDR SDR SDRAM (Volatile DRAM)
Memory Density 512 Mbit (32M x 16) —
تنظیم 32M words x 16 bit 32M x 16 (16-bit data bus)
ڈیٹا بس چوڑائی 16 bit —
زیادہ سے زیادہ کلاک فریکوئنسی 166 MHz 166 MHz
Access Time 5 ns —
Supply Voltage VDD 1.8 V (typ) —
انٹرفیس ٹائپ Parallel, LVCMOS —
Number of Banks 4 —
CAS لیٹنسی Programmable 2 or 3 —
Burst Length 1, 2, 4, 8, Full Page 1, 2, 4, 8, full page
Self-Refresh Yes (with PASR) —
Deep Power-Down Yes —
Process Technology 46 nm CMOS 46 nm
آپریٹنگ درجہ حرارت -40C to +85C (Industrial) -40C to +85C (Industrial)
پیکیج 54-ball VFBGA (8 mm x 9 mm) 54-ball VFBGA, 8 mm x 9 mm
Ball Pitch 0.8 mm —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 3 3 (168 hours)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Density — 512 Mbit
Clock Access Time — 5 ns
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.8 V (typical); 1.7 V to 1.95 V range
Number of Internal Banks — 4
CAS Latency (CL) — 2 / 3 selectable via MRS
Refresh Window — 1024 cycles / 16 ms
Packaging Option — Tape & Reel (-TR suffix)
Low-Power Modes — Partial-Array Self-Refresh (PASR), Deep Power-Down (DPD)
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں