IR2011STRPBF vs IR2011SPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IR2011STRPBF von Infineon und IR2011SPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IR2011STRPBF IR2011SPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,71 $1,18
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
Betriebstemperatur -40 C to +125 C —
Gehäuse 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Anzahl der Ausgänge — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Betriebstemperaturbereich — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

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