IR2011STRPBF vs IR2011SPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IR2011STRPBF от Infineon и IR2011SPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IR2011STRPBF IR2011SPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,71 $1,18
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
Рабочая температура -40 C to +125 C —
Корпус 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Количество выходов — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Диапазон рабочих температур — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену