IR2011STRPBF vs IR2011SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IR2011STRPBF por Infineon e IR2011SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IR2011STRPBF IR2011SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,71 $1,18
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Número de saídas — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Fichas técnicas e recursos

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