IR2011STRPBF vs IR2011SPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IR2011STRPBF מאת Infineon ו IR2011SPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IR2011STRPBF IR2011SPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C —
מארז 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
מספר יציאות — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
טווח טמפרטורת פעולה — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר