IR2011STRPBF vs IR2011SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IR2011STRPBF tarafından Infineon ve IR2011SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IR2011STRPBF IR2011SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C —
Paket 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Çıkış Sayısı — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin