IR2011STRPBF vs IR2011SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IR2011STRPBF द्वारा Infineon और IR2011SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IR2011STRPBF IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver | Infineon | SOIC-8

IR2011STRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IR2011SPBF IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF - 200V High/Low-Side Gate Driver, 1A, 8-SOIC | Infineon

IR2011SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IR2011STRPBF IR2011SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Configuration High-Side and Low-Side (Independent) High-Side and Low-Side, Inverting
Number of Drivers 2 (Half-Bridge) —
Peak Source Current 1 A (typical) —
Peak Sink Current 1 A (typical) —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Floating Supply Voltage (VBS) 10 V to 20 V (operational to +200 V) —
Logic Input Compatibility 3.0 V CMOS or LSTTL —
Propagation Delay (typ.) 80 ns —
Turn-On Rise Time (typ.) 35 ns —
Turn-Off Fall Time (typ.) 20 ns —
Offset Voltage Rating 200 V —
Negative Transient Tolerance dV/dt immune Yes (on VS pin)
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C —
पैकेज 8-SOIC (3.90 mm body width) 8-SOIC (DSO-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant Yes (PBF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
आउटपुट की संख्या — 2
Offset Voltage (High-Side, max) — 200 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC, VBS) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 1 A / 1 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 80 ns
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Input Logic Compatibility — CMOS / LSTTL, down to 3.0 V
dV/dt Immunity — Yes
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 C to +125 C
Tube / Reel Packaging — Tube (per Infineon PBF convention)

डेटाशीट और संसाधन

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