IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc und K4B4G1646E-BYMATCV von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marke | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $5,90 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Datenrate | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Betriebstemperaturbereich | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |