IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc et K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marque | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,60 | $5,90 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| Boîtier | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Débit de données | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Latence CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |