IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV 比較
詳細な並列比較: IS43TR16256AL-125KBL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc および K4B4G1646E-BYMATCV メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ 生産中
仕様比較
| パラメータ | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| ブランド | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.60 | $5.90 |
| メモリタイプ | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| パッケージ | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| データレート | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| ピン数 | — | 96 |
| 動作温度範囲 | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| CASレイテンシ | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |