IS43TR16256AL-125KBL vs K4B4G1646E-BYMATCV Сравнение
Подробное сравнение бок о бок IS43TR16256AL-125KBL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc и K4B4G1646E-BYMATCV от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-125KBL ✓ АктивенSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | IS43TR16256AL-125KBL | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Бренд | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,60 | $5,90 |
| Тип памяти | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit (256M x 16) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35V (backward compatible to 1.5V) | 1.35 V |
| Корпус | 96-TWBGA (9x13mm) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C | — |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | SDRAM - DDR3L | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps | 1866 Mbps |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Количество выводов | — | 96 |
| Диапазон рабочих температур | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop 4) |
| Задержка CAS | — | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |