K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WB-BIWE von Samsung Electronics und H5AN8G8NDJR von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $24,50 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Gehäuse | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS-Latenz | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |