K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WB-BIWE 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G8NDJR 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $24.50 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| 패키지 | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |