K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics e H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,50 | $24,50 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamanho da memória | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | — |
| Temperatura de operação | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Encapsulamento | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latência CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organização da memória | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |