K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G085WB-BIWE от Samsung Electronics и H5AN8G8NDJR от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,50 | $24,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Размер памяти | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Корпус | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Организация памяти | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |