K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB-BIWE por Samsung Electronics y H5AN8G8NDJR por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $24,50 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Encapsulado | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |