K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB-BIWE par Samsung Electronics et H5AN8G8NDJR par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $24,50 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Boîtier | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sans halogène | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |