K4A8G085WB-BIWE vs H5AN8G8NDJR 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WB-BIWE メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NDJR メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WB-BIWE | H5AN8G8NDJR |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.50 | $24.50 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 8 | — |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | — |
| 動作温度 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| パッケージ | 78-FBGA | FBGA-78 (7.5x11 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | [DATA_NEEDED: tRCD, tRP, tRAS] | — |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CL value] | 22 (typical) |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| Density | — | 8 Gb |
| メモリ構成 | — | 1G x 8 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | — | 1.2 V |
| VPP | — | 2.5 V |
| tRCD | — | 22 ns |
| tRP | — | 22 ns |
| Burst Length | — | 8 and 4 (with burst chop) |
| Self-Refresh Current | — | 30 mA (typical) |
| Active Standby Current | — | 60 mA (typical) |
| RoHS | — | Compliant |