K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics und H5CG48MEBDX014N von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $41,02 | $41,68 |
| Speichertyp | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Speicherorganisation | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Datenrate | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Versorgungsspannung | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Schnittstellentyp | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |