K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCQK por Samsung Electronics y H5CG48MEBDX014N por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $41,02 | $41,68 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |