K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCQK par Samsung Electronics et H5CG48MEBDX014N par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $41,02 | $41,68 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Débit de données | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Type d'interface | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |