K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N 比較
詳細な並列比較: K4RAH086VB-BCQK メーカー: Samsung Electronics および H5CG48MEBDX014N メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $41.02 | $41.68 |
| メモリタイプ | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| メモリ構成 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| データレート | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| インターフェース | Parallel | — |
| パッケージ | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 電源電圧 | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| インターフェースタイプ | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |