K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4RAH086VB-BCQK por Samsung Electronics e H5CG48MEBDX014N por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $41,02 | $41,68 |
| Tipo de memória | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organização da memória | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Taxa de dados | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface | Parallel | — |
| Encapsulamento | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tensão de alimentação | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Tipo de interface | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |