K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4RAH086VB-BCQK 제조: Samsung Electronics 및 H5CG48MEBDX014N 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $41.02 | $41.68 |
| 메모리 유형 | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| 메모리 구성 | 2G x 8 | 2G x 8 |
| 데이터 속도 | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 패키지 | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 공급 전압 | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |