K4RAH086VB-BCQK vs H5CG48MEBDX014N Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH086VB-BCQK от Samsung Electronics и H5CG48MEBDX014N от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH086VB-BCQK | H5CG48MEBDX014N |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | SK hynix |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $41,02 | $41,68 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Организация памяти | 2G x 8 | 2G x 8 |
| Скорость передачи данных | 4800 Mbps (DDR5-4800) | 4800 Mbps |
| Clock Frequency | 2400 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Корпус | FBGA-82 | FBGA-82 (11 x 10 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to 95C (commercial) | 0C to +95C |
| ECC | On-die ECC | — |
| Burst Length | BL32 (DDR5 standard) | — |
| Memory Format | DRAM (volatile) | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (datasheet timing basis) | — |
| Product Status | Active | — |
| Packaging | Tray | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Напряжение питания | — | 1.1 V |
| Row Address | — | 12 bits |
| Column Address | — | 9 bits |
| Die Generation | — | M-die |
| Тип интерфейса | — | Parallel, DDR5 |
| Memory Class | — | Synchronous DRAM |
| Speed Class | — | DDR5-4800 (PC5) |