MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-093 von Micron Technology und K4B4G1646Q von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $15,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Datenrate | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Schnittstellentyp | Parallel | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS-Latenz | — | Programmable |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |