MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16TW-093 제조: Micron Technology 및 K4B4G1646Q 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $15.50 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| 인터페이스 유형 | Parallel | — |
| 패키지 | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 메모리 구성 | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |