MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Comparação
Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16TW-093 por Micron Technology e K4B4G1646Q por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $15,50 | $6,50 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamanho da memória | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largura do barramento de dados | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Taxa de dados | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensão de alimentação | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Tipo de interface | Parallel | — |
| Encapsulamento | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montagem | Surface Mount | — |
| Faixa de temperatura de operação | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organização da memória | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latência CAS | — | Programmable |
| Temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |