MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TW-093 от Micron Technology и K4B4G1646Q от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $15,50 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Разрядность шины данных | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Скорость передачи данных | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Тип интерфейса | Parallel | — |
| Корпус | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Диапазон рабочих температур | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Организация памяти | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Задержка CAS | — | Programmable |
| Рабочая температура | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |