MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-093 por Micron Technology y K4B4G1646Q por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16TW-093 - 4Gbit DDR3L SDRAM 1.066GHz | Micron
MT41K256M16TW-093 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $15,50 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Velocidad de datos | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Tipo de interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latencia CAS | — | Programmable |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |