MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q 对比
详细并排对比 MT41K256M16TW-093 出自 Micron Technology 和 K4B4G1646Q 出自 Samsung Electronics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况，以确定最适合您设计需求的元器件。
规格对比
| 参数 | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| 品牌 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 分类 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命周期状态 | 有效 | 有效 |
| 库存状态 | 有库存 | 有库存 |
| 单价（USD） | $15.50 | $6.50 |
| 存储器类型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| 存储容量 | 4Gbit (256M x 16) | — |
| 数据总线宽度 | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| 数据速率 | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| 电源电压 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| 接口类型 | Parallel | — |
| 封装 | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 安装类型 | Surface Mount | — |
| 工作温度范围 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS 状态 | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| 存储组织 | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| 无卤 | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CAS 延迟 | — | Programmable |
| 工作温度 | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |