MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-093 par Micron Technology et K4B4G1646Q par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $15,50 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| Débit de données | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| Type d'interface | Parallel | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Latence CAS | — | Programmable |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |