MT41K256M16TW-093 vs K4B4G1646Q 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16TW-093 メーカー: Micron Technology および K4B4G1646Q メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16TW-093 | K4B4G1646Q |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $15.50 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| メモリサイズ | 4Gbit (256M x 16) | — |
| データバス幅 | 16 bit | 16 bits |
| Clock Frequency | 1.066 GHz | — |
| データレート | 2133 MT/s | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35V |
| インターフェースタイプ | Parallel | — |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度範囲 | 0°C to +95°C (TC) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| REACH Status | Compliant | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Density | — | 4Gb |
| メモリ構成 | — | 256M x 16 |
| Die | — | Q-die |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| CASレイテンシ | — | Programmable |
| 動作温度 | — | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |