NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16ER-EKI bằng Nanya Technology và H5TC4G63AFR-PBI bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKI NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKI ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBI H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBI Obsolete

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16ER-EKI H5TC4G63AFR-PBI
Thương hiệu Nanya Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Obsolete
Giá đơn vị (USD) $16,70 —
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V
Tốc độ dữ liệu 933 MHz (DDR3L-1866) DDR3-1600 (PC3L-12800)
Hộp 96-ball TFBGA 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32)
Nhiệt độ hoạt động -40°C to +95°C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS Compliant —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Total Memory Size — 4 Gb
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 (BL8)
Latency CAS — Programmable
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh Period — 7.8 us at 85°C
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -40°C to +95°C
Number of Terminals — 96
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá