NT5CC256M16ER-EKI vs H5TC4G63AFR-PBI Pengandingan
Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci NT5CC256M16ER-EKI disebabkan oleh Nanya Technology dan H5TC4G63AFR-PBI disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.
Pengandingan Spesifikasi
| Parametr | NT5CC256M16ER-EKI | H5TC4G63AFR-PBI |
|---|---|---|
| Merek | Nanya Technology | SK hynix |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Status Lingkungan Hidup | Aktif | Obsolete |
| Harga Unit (USD) | $16.70 | — |
| Jenis Ingatan | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisasi | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tegangan Pemberi Arus | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V |
| Kadar Data | 933 MHz (DDR3L-1866) | DDR3-1600 (PC3L-12800) |
| Kemasan | 96-ball TFBGA | 96-ball FBGA (TFBGA, BGA96, 9x16, 32) |
| Suhu Operasi | -40°C to +95°C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Jenis Pemasangan | Surface Mount | Surface Mount |
| Total Memory Size | — | 4 Gb |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latensi CAS | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Refresh Period | — | 7.8 us at 85°C |
| Gambaran Suhu Operasi | — | -40°C to +95°C |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Status RoHS | — | Compliant |